为了预测微透镜阵列玻璃模压成型过程中微结构的加工工艺参数,利用高级非线性有限元软件MSC.Marc进行微透镜阵列的有限元建模;将不同微结构宽度的阵列光学元件进行分组,利用有限元模型分别计算每组硫系阵列光学元件的微结构高度对等效米塞斯应力的影响,得到微结构宽度相同、高度不同的硫系玻璃微透镜阵列结构对模压成型后等效米塞斯应力的影响,对微结构宽度相同、高度不同的阵列光学元件的最大等效米塞斯应力进行数据拟合处理,得出各组等效米塞斯应力的趋势,获得适合模压的硫系玻璃Ge23Se67Sb10阵列光学元件的微结构高度与宽度之比。
仿真结果表明:微结构高度越小,等效米塞斯应力越小;硫系玻璃微透镜阵列的等效米塞斯应力由中心到边缘逐渐增大,边缘处的等效米塞斯应力最大;当微结构高度与宽度之比大于0.322时,模压产生的等效米塞斯应力大幅增加。

本程序是对V-BLAST系统及其检测算法的仿真，可采用BPSK,QPSK,16QAM,64QAM调制。
检测算法为ML，MMSE,ZF,以及采用迫零的连续干扰消除检测算法。

简单的NS3网络模拟仿真，内附有PPT演示。
论文评述。
以及简单的安装教程。

分布式区域增强系统仿真平台设计与实现，徐磊，张学军，分布式区域增强系统是一种满足特殊领域需求的新型增强系统。
为了对区域增强系统性能进行研究和评估，必须建立一套相应的仿真系统

在使用fpga设计sdram控制器时，可以通过官方的sdram仿真模型对verilogHDL设计的sdram控制器进行仿真，仿真可以得到相应的输出信息，比如初始化进度。
本资源为镁光官方的仿真模型，需要修改.vh文件为.h，然后在sdr文件中也把.vh修改成.h，最后在新的.h文件中加入你的sdram的型号，比如`definesg6a`defineden128Mb`definex16将sdr文件添加到仿真模型，下面是仿真的初始化部分的运行结果。
#Note:CycloneIVEPLLlockedtoincomingclock#Time:60.0nsInstance:top_tb.top.PLL.altpll_component.cycloneiii_pll.pll3#top_tb.sdr:attime200465.0nsAREF:AutoRefresh#top_tb.sdr:attime200565.0nsAREF:AutoRefresh#top_tb.sdr:attime200665.0nsLMR:LoadModeRegister#top_tb.sdr:CASLatency=2#top_tb.sdr:BurstLength=8#top_tb.sdr:BurstType=Sequential#top_tb.sdr:WriteBurstMode=ProgrammedBurstLength

采用通信原理的方法产生pwm波形，采用simulink进行仿真

里面大量讲解小波分析方法，带有大量注释，方遍学习交流

利用MATLAB仿真平台，对RFID技术中的防碰撞算法进行仿真。

1.任务设计并制作一个DC-DC变换器（15V转变成5V）2.要求1）输出电压Uo：5V；
2）最大输出电流Iomax：1A；
3）输入电压范围：12V~18V；
4）输出电流Io范围：0~1A时;3.说明1）DC-DC变换器不允许使用成品模块，但可使用开关电源控制芯片。
2）电源在最大输出功率下应能连续安全工作足够长的时间。
3）设计报告正文中应包括系统总体框图、核心电路原理图、主要流程图、保护电路图4)设计报告中要写明所有的设计过程5)利用仿真软件分析电路的工作过程

Simulink+4建模及动态仿真很好很强大啊

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。