我们提出并演示了一种基于pn结的反向击穿的快速有效的硅热光开关。
通过将pn结嵌入到波导中心而直接加热硅波导，受益于对20μm半径的微环谐振器进行330/450ns的开/关时间快速切换和0.12nm/mW的有效热调谐，表明只有8.8兆瓦的高质量因数。
亩这里的结果显示出在未来的光学互连中的巨大应用潜力。

设计题目语音信号无线光传输系统设计二、设计要求1.用三极管9018作为LED发射电路的偏置和放大器件；
2.用硅光电池作为接收电路的信号采集器件；
3.对硅光电池所采集的信号进行放大；
4.用MIC作为语音信号源，最后用耳机将语音信号输出；
三、分析设计1.硅光电池光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的光电器件。
由于它可把太阳能直接转变为电能，因此又称为太阳能电池。
它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。
故光电池是有源元件。
硅光是在一块N型硅片上用扩散的办法掺入一些P型杂质(如硼)构成PN结。
当光照到PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子-空穴对，在N区聚积负电荷，P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差。
若将PN结两端用导线连起来，电路中有电流流过，电流的方向由P区流经外电路至N区。
若将外电路断开，就可测出光生电动势。

设计了一种高效的、基于多模干涉（MMI）的椭圆型十字光波导,通过增加模式婚配器和调整自聚焦点位置,降低其传输损耗。
COMSOL仿真表明该波导在1550nm波长处的透射率高达96.5%,串扰损耗小于2×10-5,而传统的椭圆型十字波导的透射率仅为91.2%。
并且对椭圆型MMI的成像规律进行了理论分析和仿真验证,结果表明这种新型椭圆型结构不但在1550nm处表现出高效性,对整个1500~1600nm的通信波段都具有非常低的损耗(小于0.2dB)和串扰(小于-42dB)。
这种十字光波导尺寸小、结构简单,只需要在硅上绝缘体（SOI）基底材料上融刻一次即可实现,制备工艺简单,有利于节约成本和批量生产,广泛适用于未来的集成光路。

激光投影显示通常需要解决光束整形匀化和散斑抑制的问题。
基于此，提出利用硅基液晶（LCoS）空间光调制器（SLM）同时解决上述问题的方法。
利用衍射光学元件（DOE）精细化设计思想设计所需整形DOE的相位分布，可以同时较好地控制采样点与采样点以外的光场强度分布，将圆形高斯分布照明激光束整构成平顶矩形光场；
在不同的初始相位条件下，设计得到的多幅DOE生成具有相同强度分布、不同相位分布的衍射图样。
当SLM依次调制出这些衍射图样，通过时间积分将这些衍射图样相叠加，不仅可以进一步提高光斑均匀性，同时还可以抑制散斑。
仿真结果表明，通过叠加16幅衍射图样，该方法可使照明光斑均匀性从74%提高到92.57%，屏幕上图样散斑对比度由0.991减小为0.2508。
该方法稳定性高，能耗低，且所用器件尺寸小，为微投影显示结构设计提供了有益参考。

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为了用计算机模拟电化学方法制备多孔硅的过程,墓于MoneeCarlo和扩散限制模型(DI.A)建立一种新模型,引入耗尽区范围、腐抽半径和腐几率等参数,用Matlab来实现。
模拟得到了电流密度,F酸浓度、腐性时间以及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势,与实验结果一致,模拟出的孔隙率值也与实验值接近。
因此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程。

利用频域有限差分法，分析了两种典型晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。
研究表明：平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗次要是由本征吸收和导模共振吸收引起，而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值；
织构型的晶硅电池内部光场分布复杂，可在光垂直入射情况下，使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应，且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应，从而使织构型晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性，且其吸收峰峰值大于平板型晶硅电池的吸收峰峰值。

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。