研究了离焦量、脉冲能量、扫描间距、扫描速度和重复频率等激光加工参数对金属表面着色及微纳结构制备的影响机理，诱导制备了氧化膜、类光栅、凹坑和柱状突起4种结构，这些结构会使不锈钢表面产生薄膜干涉、光栅衍射和陷光等现象。
通过Matlab软件在工艺参数与颜色HSB值之间建立了一个单隐含层的反向传播（BP）神经网络，该神经网络的训练均方根误差为0.0078，色相H、饱和度S和亮度B的测试相对误差分别为23%，10.4%和5.6%。
该神经网络在一定程度上揭示了工艺参数与颜色之间的映射关系，使用该神经网络模型可以对激光着色效果作出有效的预测。

好用的STM32F412工程模板STM32F412的新型大量数据获取模式（BAM），为数据处理进行了功耗优化，将DynamicEfficiency提升到了一个新的水平。
BAM允许通信外设实现批量数据交换，同时器件的其它部分（包括CPU）可保持在省电模式。
性能：在100MHz频率下，从Flash存储器执行时，STM32F412能够提供125DMIPS/339CoreMark性能，并且利用意法半导体的ART加速器实现FLASH零等待状态。
DSP指令和浮点运算单元扩大了产品的应用范围。
功效：ST该系列产品采用意法半导体90nm工艺，使用ART加速器和动态功耗调整功能，从Flash存储器执行指令，运行模式下可实现低至112µA/MHz的电流消耗。
停机模式下，功耗低至18µA。
集成度：STM32F412器件内置高达512至1024KB的Flash存储器和高达256KB的SRAM。
具备从48到144引脚各类封装。
4路USART，速度高达12.5Mbit/s5路SPI（I²S多路传输），速度高达50Mbit/s4个I²C，高达1Mbps2xCAN（支持2.0B）1个SDIO，运行于高达48MHz，所有封装都提供1个USB2.0OTG全速（FS）2个全双工I²S，最高32-bit/192kHz3个单工I²S，最高32-bit/192kHz2个数字滤波器，用于∑Δ调制器4个PDM接口，支持立体声麦克风速度高达2.4MSPS的12位ADC，14个定时器，频率高达100MHz的16和32位定时器硬件随机数发生器

端盖零件的工艺流程及专用夹具的设计。
计算过程。

包含各类题解及模拟试卷复习纲要〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要第一章：常用半导体器件（1） 熟悉下列定义、概念及原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区、PN结、耗尽层，导电沟道，二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用，晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。
（2） 掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。
掌握其应用。
（3） 了解选用器件的原则。
了解集成电路制造工艺。
第二章：基本放大电路（1） 掌握以下基本概念和定义：放大、静态工作点、饱和失真与截止失真、直流通路与交流通路、直流负载线与交流负载线、h参数等效模型、放大倍数、输入电阻和输出电阻、最大不失真输出电压。
掌握静态工作点稳定的必要性及稳定方法。
（2） 掌握组成放大电路的原则和各种基本放大电路的工作原理及特点，理解派生电路的特点，能够根据具体要求选择电路的类型。
（3） 掌握放大电路的分析方法，能够正确估算常用基本放大电路（共射、共集、共源为主）的静态工作点和动态参数Au、Ri、Ro，正确分析电路的输出波形和产生截止失真、饱和失真的原因。
第三章：多级放大电路（1） 掌握以下概念和定义：零点漂移与温度漂移，共模信号与共模放大倍数，差模信号与差模放大倍数，共模抑制比，互补输出电路。
（2） 掌握各种耦合方式的优缺点，能够正确估算多级放大电路的Au、Ri、Ro。
（3） 掌握差动放大器静态工作点和动态参数的计算方法。
（4） 掌握OCL电路。
第四章：集成运算放大电路（1） 熟悉集成运放的组成及各部分电路的特点、作用，正确理解其主要指标参数的物理意义、使用注意事项及其模型。
（2） 理解电流源电路的工作原理。
（3） 理解F007的电路原理。
第五章：放大电路的频率响应（1） 掌握以下概念：上限频率，下限频率，通频带，波特图，增益带宽积，幅值裕度，相位裕度，相位补偿。
（2） 能够计算放大电路中只含一个时间常数时的fH和fL，并能画出波特图。
（3） 了解多级放大器频率响应与组成它的各级电路频率响应间的关系。
（4） 了解集成运放中常用的相位补偿方法。
第六章：放大电路中的反馈（1） 能够正确的判断电路中是否引入了反馈以及反馈的性质，例如是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如是交流负反馈，是哪种组态的反馈等。
（2） 能够估算深度负反馈条件下电路的放大倍数。
（3） 掌握负反馈的四种组态对放大电路性能的影响，并能够根据需要在放大电路中引入合适的交流负反馈。
（4） 正确理解负反馈放大电路产生自激振荡的原因，能够利用环路增益的波特图判断电路的稳定性，并了解消除自激振荡的方法。
第七章：信号的运算和处理（1） 掌握比例、加减、积分、微分、对数和指数电路的工作原理及运算关系，能够运用“虚短”和“虚断”的概念分析各种运算电路输出电压与输入电压之间的运算关系，能够根据需要合理地选择电路。
（2） 正确理解LPF、HPF、BPF、BEF的工作原理和电路计算，并能够根据需要合理地选择电路。
（3） 了解干扰和躁声的来源及抑制方法。
第八章：波形的发生和信号的转换（1） 熟练掌握电路产生正弦波振荡的幅值平衡条件和相位平衡条件，RC桥式正弦波振荡电路的组成、起振条件和振荡频率。
正确理解变压器反馈式、电感反馈式、电容反馈式LC振荡电路和石英晶体振荡电路的工作原理，能够根据相位平衡条件正确判断电路是否可能产生正弦波。
正确理解它们的振荡频率与电路参数的关系。
（2） 正确理解由集成运放构成的矩形波、三角波和锯齿波发生电路的工作原理、波形分析和有关参数。
（3） 了解锁相环电路的方框图及工作原理。
第九章：功率放大电路（1） 掌握下列概念：晶体管的甲类、乙类和甲乙类工作状态，各类电路的优缺点，最大输出功率，转换效率。
（2） 正确理解功率放大电路的组成原则，掌握OTL、OCL的电路及原理，并理解其它类型功率放大电路的特点。
（3） 掌握功率放大电路的最大输出功率和效率的计算，掌握功放管的选择方法。
（4） 了解集成功率放大电路的工作原理和应用。
第十章：直流电源（1） 正确理解直流稳压电源的组成及各部分的作用。
（2） 能够分析整流电路的工作原理，估算输出电压及电流的平均值。
（3） 了解滤波电路的工作原理，能够估算电容滤波电路输出电压平均值。
（4） 掌握稳压管稳压电路的工作原理，能够正确进行限流电阻的估算。
（5） 正确理解串联型稳压电路的工作原理，能够估算输出电压的调节范围。
（6） 掌握集成稳压器的工作原理及使用方法。
（7） 理解开关型稳压电路的工作原理及特点。

本书是作者历时近一年撰写的反映Xilinx最新可编程技术的著作。
编写过程中感触颇多，愿与广大读者一起分享这些心得：（1）当Xilinx将ARM公司的双核Cortex-A9处理器嵌入到FPGA芯片内，并结合最新的28nm工艺，制造出全新一代的可编程SoC平台后，取名叫EPP（ExtensibleProcessingPlatform，可扩展的处理平台），后来又改成AllProgrammable平台。
在这个名字变化的过程中，反映了Xilinx给这个最新Zynq设计平台的定位—侧重于嵌入式系统的应用，未来的可编程逻辑器件向着嵌入式处理方向发展，未来的嵌入式系统“硬件”和“软件”将根据应用的要求，真正变成AllProgrammable（全可编程），即可以在单芯片内设计满足特定要求的硬件平台和相应的软件应用。
在这个全可编程的实现过程中，体现着软件和硬件协同设计、软件和硬件协同调试、软件的串行执行和硬件逻辑的并行执行完美结合、未来的嵌入式系统是“积木块”的设计风格等设计思想。
这些设计理念将在Zynq-7000平台上由理想变成实现。
（2）Zynq-7000器件是最新半导体技术、计算机技术和电子技术的一个结合体。
在一个小小的半导体硅片上却集成了当今最新的信息技术。
基于Zynq-7000平台进行高性能的嵌入式实现，需要微电子、数字逻辑、嵌入式处理器、计算机接口、计算机体系结构、数字信号处理等相关的知识。
Zynq-7000是一个比较复杂的系统，是对一个设计者的基础理论知识和系统级设计能力的一个真正的考查。
在这个平台上实现嵌入式系统的应用，体现着自顶向下的一体化设计理念。
（3）Zynq-7000平台是非常好的教学平台、科研平台和应用平台。
作为教学平台，可以在这个平台上实现全过程的计算机相关课程的教学，使学生可以清楚地看到每个实现的具体过程。
这样，学生就可以真正地理解嵌入式系统的内涵；
作为科研平台，从事嵌入式相关技术研究人员，可以在这个全开放的平台上，将算法进行高性能的实现。
并且，可以在这个平台上实现设计性能分析等研究；
作为应用平台，该平台的应用将进一步提高嵌入式系统的灵活性和可靠性、大大降低设计成本，提高产品的市场竞争力。
全书共分23章，为了更好地帮助读者学习和掌握Zynq平台的设计原理和实现方法，按照Zynq-7000基础理论、Zynq-7000体系结构和Zynq-7000设计实践进行了详细的介绍。
（1）Zynq-7000基础理论篇详细介绍了学习Zynq-7000平台需要的基础理论知识。
（2）Zynq-7000体系结构篇详细介绍了Zynq-7000内的处理器系统、可编程逻辑系统、互联结构和外设模块等。
（3）Zynq-7000设计实践篇，详细介绍了基于Zynq全可编程平台的不同设计实例。
本书所给出的设计实例代表着Zynq的应用方向，在介绍这些设计实例的过程中，贯穿了很多重要的设计方法和设计思路，这些设计方法和设计思路比设计案例本身更加重要。
为了便于读者学习，本书还配套提供了相关设计的完整工程文件及教学课件等资源。

在U型件冲压工艺中，回弹现象不可避免。
如何根据工艺参数预测回弹值大小，是一个重要问题。
在这里我选取了4个工艺参数（板料厚度，摩擦系数，凹模圆角半径，压边力），通过Abaqus获取了2688个仿真实验样本，得到了该四个因素对回弹的影响。
得到该数据集合。
有兴趣的可以用来做机器学习中的回归预测的练习。

ADuM1400/1/2是ADI（Analogdevice,inc）公司推出基于其专利iCoupler磁耦隔离技术的通用型四通道数字隔离器。
iCoupler磁隔离技术是ADI公司的一项专利隔离技术，是一种基于芯片尺寸的变压器隔离技术，它采用了高速CMOS工艺和芯片级的变压器技术。
所以，在性能、功耗、体积等各方面都有传统光电隔离器件（光耦）无法比拟的优势。
由于磁隔离在设计上取消了光电耦合器中影响效率的光电转换环节，因此它的功耗仅为光电耦合器的1/6--1/10，具有比光电耦合器更高的数据传输速率、时序精度和瞬态共模抑制能力。
同时也消除了光电耦合中不稳定的电流传输率，非线性传输，温度和使用寿命等方面的问题。

详细介绍了结构的外壳部分的设计。
详细介绍了产品设计过程公差的考虑。
外壳设计部分，详细介绍产品外壳结构及工艺的设计。

晶体生产及切片工艺流程.doc

针对光伏工业界对磷扩散薄层电阻不断提升的需求，采用了在磷扩散工艺气氛中增加水汽的方法进行磷源扩散制备高薄层电阻，并通过实验对比两种扩散气氛下的掺杂浓度，少子寿命等表征。
实验结果表明：在相同薄层电阻条件下，水汽气氛下掺杂剂的表面浓度降低，耗尽层的复合率减小，间隙态的金属杂质浓度降低，硅基体的少子寿命从6.27μs提升至7.16μs。
由于掺杂剂浓度分布得到改善，降低了硅片的表面复合率和结区光生载流子的俄歇复合，使得水汽气氛扩散后硅片制备的太阳电池，光电转换效率提升0.1%。

在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。