该紧缩包包含原理图封装和PCB封装。
包括各种接插件VH3.96、FPC、HT3.96、KF2EDGK、KF128、KF301、FK350、KF2510、KF7620、KFHB9500、LCD、LED、MOS,BIT、MX、PH、PHB、PHD、SD、SIM、STC单片机、STM32单片机、USB、XH、VH、保险丝、拨码开关、传感器、串口、电感、电容、电源插座、电源开关、电源芯片、电阻、二极管、蜂鸣器、光电隔离器、继电器、简易牛角座、晶振、可控硅、电池座、排母、排针、轻触开关、数码管、天线座、音频插座,整流桥,各种常用芯片封装。
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交流测量电容阻抗芯片,做阻抗测量神器。
这是材料
2017/1/19 21:52:50 461KB AD5933
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实验一三点式正弦波振荡器(模块1)一、实验目的1.掌握三点式正弦波振荡器电路的基本原理,起振条件,振荡电路设计及电路参数计算。
2.通过实验掌握晶体管静态工作点、反馈系数大小对振荡幅度的影响。
图1-1正弦波振荡器(4.5MHz)将开关S3拨上S4拨下,S1、S2全部断开,由晶体管Q3和C13、C20、C10、CCI、L2构成电容反馈三点式振荡器的改进型振荡器——西勒振荡器,电容CCI可用来改变振荡频率。
振荡器的频率约为4.5MHz振荡电路反馈系数:F=振荡器输出通过耦合电容C3(10P)加到由Q2组成的射极跟随器的输入端,因C3容量很小,再加上射随器的输入阻抗很高,可以减小负载对振荡器的影响。
射随器输出信号Q1调谐放大,再经变压器耦合从J1输出。
三、实验步骤1.根据图在实验板上找到振荡器各零件的位置并熟悉各元件的作用。
2.研究振荡器静态工作点对振荡幅度的影响。
3.将开关S3拨上S4拨下,S1、S2全拨下,构成LC振荡器。
4.改变上偏置电位器RA1,记下发射极电流,并用示波器测量对应点的振荡幅度VP-P(峰—峰值)记下对应峰峰值以及停振时的静态工作点电流值。
5.经测量,停振时的静态工作点电流值为2.23mA6.分析输出振荡电压和振荡管静态工作点的关系,按以上调整静态工作点的方法改变Ieq,并测量相应的,且把数据记入下表。
Ieq(mA)1.201.401.591.802.23Up-p(mV)304348384428停振7.晶体振荡器:将开关S4拨上S3拨下,S1、S2全部拨下,由Q3、C13、C20、晶体CRY1与C10构成晶体振荡器(皮尔斯振荡电路),在振荡频率上晶体等效为电感。
8.拍摄晶振正弦波如下:f=4.19MHz四、实验结果分析分析静态工作点、反馈系数F对振荡器起振条件和输出波形振幅的影响,并用所学理论加以分析。
答:晶体管的起振条件是约等于0.6V,使静态工作点处于此电压附近,并加入正反馈。
同时随着静态电流的增大,输出波形的幅度也增大。
增长到一定程度后,由于晶体管的非线性特性和电源电压的限制,输出波形振幅不再增长,振荡建立的过程结束,放大倍数的值下降至稳定。
|AF|=1,输出波形振幅维持在一个确定值,电路构成动态平衡。
五、实验仪器1.高频实验箱1台2.双踪示波器1台3.万用表1块
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纳米结构的Co3O4材料因其出色的电化学(伪电容)特性而引起了广泛的关注。
然而,需要严格的制备条件以控制通过常规方法获得的产物的尺寸(特别是纳米尺寸),形态和尺寸分布。
在这里,我们描述了一种新型的一步法形状控制的均匀Co3O4纳米立方体,其尺寸为50nm,并且具有介Kong碳纳米棒(meso-CNRs)。
在该合成过程中,内消旋CNR不仅充当热接收器,直接获得Co3O4,消除了高温后的煅烧,而且还控制了所得Co3O4的形态,形成了具有均匀分布的纳米立方体。
更惊人的是,通过进一步的热处理获得了介Kong的Co3O4纳米立方体。
通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和X射线衍射对样品的结构和形态进行表征。
本文提出了介KongCo3O4纳米立方体的可能形成机理。
电化学测试表明,制备的中KongCo3O4纳米立方体由于具有多Kong结构,可提供快速的离子和电子转移,因此在超级电容器应用中表现出卓越的功能。
2020/3/3 21:30:40 919KB 研究论文
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整理最全AD20原理图库文件:包含最基础元件,各类电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管、数码管、按键、以太网、传感芯片、继电器、wifi、32芯片、51芯片等
2015/4/11 16:07:08 1.92MB AD20最全原理图库零件 AD20
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RFsim99(射频仿真软件),rfsim99中文绿色版能添加电阻、电容、电厂、传输线、变压器等无源元件,添加运算放大器有源元件,用于仿真调整射频阐发电路。
2016/4/15 11:09:24 1.99MB RFSim99
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本标准涵盖配有一个或多个电池,电化学电容器或电化学电容器模块的便携式和挪动式电源。
如果配备电池,则电池应为铅酸或锂离子电池。
电源组具有一个或多个输入和一个或多个输出。
对于具有升压功能的电源组,这些电源组用于为耗尽的陆地车辆电池提供临时电源,最大额定值为24Vdc,以提供紧急启动电源。
本标准不包括UL2056的《挪动电源调查大纲》中涵盖的挪动电源。
2015/4/7 14:38:41 22.78MB ul 2743 电源 便携
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瓷介电容器可分为低压低功率和高压高功率,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。
  I型(CC型)特点是体积小,损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频电路。
  II型(CT型)特点是体积小,损耗大,电容对温度频率,稳定性都较差,常用于低频电路。
  CC1型圆片高频瓷介电容器:适用于谐振回路及其他电路做温度补偿,耦合,隔直使用。
  允许偏差:5p(+-0.5p)6-10p(+-1P)10p以上(J,K,M)温度系数:-150----1000PPM/C环境温度:-25-85C相对湿度:+40C时达96%  CT1型圆形低频瓷介电容:环境温度:-
2022/9/21 14:26:21 54KB 瓷介电容器分类及性能
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瓷介电容器可分为低压低功率和高压高功率,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。
  I型(CC型)特点是体积小,损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频电路。
  II型(CT型)特点是体积小,损耗大,电容对温度频率,稳定性都较差,常用于低频电路。
  CC1型圆片高频瓷介电容器:适用于谐振回路及其他电路做温度补偿,耦合,隔直使用。
  允许偏差:5p(+-0.5p)6-10p(+-1P)10p以上(J,K,M)温度系数:-150----1000PPM/C环境温度:-25-85C相对湿度:+40C时达96%  CT1型圆形低频瓷介电容:环境温度:-
2022/9/21 14:25:27 54KB 瓷介电容器分类及性能
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用multisim设计数字电路,完成测量3位数字电容表
2016/2/8 23:49:57 458KB 电容表
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在日常工作中,钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而,有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚,我总是得牢记打开钉钉应用,点击"工作台",再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌,会忘记打卡,导致考勤异常,影响当月的工作评价。而且,由于我使用的是苹果手机,有时候系统更新后,钉钉的某些功能会出现异常,使得打卡变得更加麻烦。 另外,我的家人使用的是安卓手机,他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说,每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误,导致打卡失败。 为了解决这些烦恼,我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习,我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03 15KB 钉钉 钉钉打卡