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通过改变气压、脉冲重复频率以及注入电功率等参量，探讨了Cu-Ne-HBr激光器的工作特性，测量了一些参量之间的关系，并对此进行了讨论。
分析了HBr气体在Cu-Ne-HBr激光器中的作用。
实验得出在充电电压较低(<2kV)的条件下，器件工作的最佳参量为:混合气压比约15:1(Ne:HBr)，最佳脉冲重复频率20kHz，最佳混合气压2.66kPa左右。

介绍：目录前言2第一章、为什么工程师要掌握FPGA开发知识？5第二章、FPGA基本知识与发展趋势72.1FPGA结构和工作原理72.1.1梦想成就伟业72.1.2FPGA结构82.1.3软核、硬核以及固核的概念152.1.4从可编程器件发展看FPGA未来趋势15第三章、FPGA主要供应商与产品173.1.1赛灵思主要产品介绍17第四章、FPGA开发基本流程294.1典型FPGA开发流程与注意事项294.2基于FPGA的SOC设计方法32基于FPGA的典型SOC开发流程为32第五章、FPGA实战开发技巧335.1FPGA器件选型常识335.1.1器件的供货渠道和开发工具的支持335.1.2器件的硬件资源335.1.3电气接口标准345.1.4器件的速度等级355.1.5器件的温度等级355.1.6器件的封装355.1.7器件的价格355.2如何进行FPGA设计早期系统规划365.3．综合和仿真技巧375.3.1综合工具XST的使用375.3.2基于ISE的仿真425.3.3和FPGA接口相关的设置以及时序分析455.3.4综合高手揭秘XST的11个技巧515.4大规模设计带来的综合和布线问题525.5FPGA相关电路设计知识54FPGA开发全攻略—工程师创新设计宝典上册基础篇5.5.1配置电路545.5.2主串模式——最常用的FPGA配置模式565.5.3SPI串行Flash配置模式585.5.4从串配置模式625.5.5JTAG配置模式635.5.6SystemACE配置方案645.6大规模设计的调试经验685.6.1ChipScopePro组件应用实例685.7FPGA设计的IP和算法应用745.7.1IP核综述745.7.2FFTIP核应用示例755.8赛灵思FPGA的专用HDL开发技巧795.8.1赛灵思FPGA的体系结构特点795.8.2赛灵思FPGA芯片专用代码风格79ISE与EDK开发技巧之时序篇835.10新一代开发工具ISEDesignSuit10.1介绍855.10.1ISEDesignSuit10.1综述855.10.2ISEDesignSuit10.1的创新特性855.11ISE与第三方软件的配合使用技巧925.11.1SynplifyPro软件的使用925.11.2ModelSim软件的使用995.11.3SynplifyPro、ModelSim和ISE的联合开发流程1045.11.4ISE与MATLAB的联合使用1055.12征服FPGA低功耗设计的三个挑战1085.13高手之路——FPGA设计开发中的进阶路线111附录一、FPGA开发资源总汇112附录二、编委信息与后记113附录三、版权声明114

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【摘 要】电力电子技术是一个以功率半导体器件、电路技术、计算机技术、现代控制技术为支撑的技术平台。
文章介绍了电力电子技术在电力系统各个环节中的应用及在电力系统中的应用前景。
 　【关键词】电力电子技术；
电力系统；
应用；
直流输电         电力电子技术是电工技术中的新技术，是电力与电子技术(强电和弱电技术)的融合，已在国民经济中发挥着巨大作用，对未来输电系统性能将产生巨大影响。
目前电力电子技术的应用已涉及电力系统的各个方面，包括发电环节、输配电系统、储能系统等等。
     一、发电环节     电力系统的发电环节涉及发电机组的多种设备，电力电子技术的应用以改善这些设备的运行特性为主要目的。

大家知道，市电或其他的交流电可以通过二极管或可控硅的单向导电性整流成直流电供给需要使用直流电的场合。
这种把交流电变换成直流电的过程我们叫做整流，也叫做顺变。
那么逆变呢？我们自然地就会想到，应该就是把直流电变换成交流电的过程。
逆变电源就是相对于整流器而言通过半导体功率开关器件的开通和关断把直流电变换成交流电的这么一个装置。
逆变电源也叫做逆变器，下面分单元地讲一下逆变器主要的单元电路。
主要内容为：一．电池输入电路二．辅助电源电路1.12V电池输入的辅助电源电路2.24V-48V电池输入的辅助电源电路3.多路隔离辅助电源电路三．高频逆变器前级电路的设计1.闭环前级变压器匝数比的设计2.准开环前级变压器匝数比的设计四．高频逆变器后级电路的设计1.米勒电容对高压MOS管安全的影响及其解决办法2.IR2110应用中需要注意的问题3.正弦波逆变器LC滤波器的参数五．逆变器的部分保护电路1.防反接保护电路2.电池欠压保护3.逆变器的过流短路保护电路的设计4.IGBT的驱动和短路保护

STM32F107VCT6DP83848CV以太网车牌识别主控板AD设计硬件原理图+PCB+2D3D封装库，，采用2层板设计，板子大小为150x115mm，单面布局双面布线，主要器件为MCUSTM32F107VCT6,DS1302ZN,LCD屏接口，光耦EL817，存储AT45DB161D，网口HPYDP83848CVV等。
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NAND_Flash中文版资料（很全）简介NANDFlash结构最早是在1989年由日本东芝公司引入。
如今,NANDFlash和NORFlash已经占据了Flash市场的支配地位。
NANDFlash是一种高密度,低功耗,低成本,而且可升级的器件,它是多媒体产品导入市场的理想选择。
先进的在系统内设计也使得为降低成本,在传统的设计应用上采用NANDFlash来替代NORFlash成为可能。

IGBT器件的发展过程，主要阐述了的发展历程、国内外现状、目前一些先进的技术方法和新材料及今后的发展方向。

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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。 另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。 为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。