数字全息显微术（DHM）是一种使用光学干涉图案来记录三维光场的技术，用于成像，传感和显微技术应用。
“无透镜”串联DHM是最简单的布置，不需要透镜，没有镜子，通常仅需要光源，样品和诸如CCD或CMOS像素阵列之类的数字成像器芯片。
尽管如此简单，但无透镜直列DHM能够在宽阔的视场上生成高分辨率图像，并允许研究人员记录光场的幅度和相位，并以数字方式重建形状，厚度，3D位置，速度，泡Kong或小颗粒的折射率和其他参数。
因此，将在线DHM与微流控技术，光流测速，低成本成像，即时诊断，单细胞跟踪，细胞流式细胞仪，计数，分选和芯片实验室相结合有很多潜在的机会技术。
“无透镜”串联DHM是最简单的布置，不需要透镜，没有镜子，通常仅需要光源，样品和诸如CCD或CMOS像素阵列之类的数字成像器芯片。
尽管如此简单，但无透镜直列DHM能够在宽阔的视场上生成高分辨率图像，并允许研究人员记录光场的幅度和相位，并以数字方式重建形状，厚度，3D位置，速度，泡Kong或小颗粒的折射率和其他参数。
因此，将在线DHM与微流控技术，光流测速，低成本成像，即时诊断，单细胞跟踪，细胞流式细胞仪，计数，分选和芯片实验室相结合有很多潜在的机会技术。
2024/3/22 12:17:58
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根据GeC薄膜折射率可调的特点，采用磁控溅射技术，在Ge基底上沉积了不同折射率的GeC薄膜以及类金刚石(DLC)膜和红外双波段保护膜。
利用红外光谱仪测试了样品的红外透射光谱，利用偏光显微镜和显微硬度计测量了样品的维氏硬度。
结果表明，GeC,DLC以及红外双波段保护膜均能显著提高样品的显微硬度；
红外双波段保护膜在3.7~4.8μm和7.5~10.5μm波段范围内的平均透射率均高于94%，样品硬度高于单层GeC薄膜和DLC薄膜。
红外双波段薄膜样品通过了GJB2485-95规定的环境实验。
利用红外光谱仪测试了样品的红外透射光谱，利用偏光显微镜和显微硬度计测量了样品的维氏硬度。
结果表明，GeC,DLC以及红外双波段保护膜均能显著提高样品的显微硬度；
红外双波段保护膜在3.7~4.8μm和7.5~10.5μm波段范围内的平均透射率均高于94%，样品硬度高于单层GeC薄膜和DLC薄膜。
红外双波段薄膜样品通过了GJB2485-95规定的环境实验。
2023/11/2 14:36:01
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利用6kW光纤激光器对1.5mm厚冷轧800MPa级双相钢进行激光拼焊试验，研究激光焊接接头的显微组织演变规律、显微组织对显微硬度及疲劳性能的影响规律。
结果表明，焊接接头主要包括焊缝区（WZ）、粗晶区（CGHAZ）、细晶区（FGHAZ）、混晶区（MGHAZ）和回火区（TZ），其中焊缝区和粗晶区显微组织均为马氏体，但焊缝区内的原始奥氏体晶界保留着柱状晶的生长形态，粗晶区内的原始奥氏体晶界呈多边形生长；
细晶区和混晶区均为铁素体和马氏体，但细晶区的显微组织更为精细；
回火区主要由铁素体和回火马氏体组成。
混晶区和回火区显微硬度均低于母材，共同组成了焊接接头的软化区。
由于软化区尺寸相对较窄（0.4mm）且硬度降低幅度低（~6.8%），拉伸断裂位置出现在母材。
在应力比为0.1的拉拉疲劳条件下，母材和焊接接头的疲劳极限分别为545MPa和475MPa，疲劳断裂未出现在软化区。
母材中的疲劳裂纹在铁素体与马氏体两相界面萌生并扩展；
而焊接接头中的疲劳裂纹则在焊缝中的奥氏体晶界上或马氏体板条内萌生，沿着焊缝中心处柱状原始奥氏体晶界的交汇处切断马氏体板条束扩展。
结果表明，焊接接头主要包括焊缝区（WZ）、粗晶区（CGHAZ）、细晶区（FGHAZ）、混晶区（MGHAZ）和回火区（TZ），其中焊缝区和粗晶区显微组织均为马氏体，但焊缝区内的原始奥氏体晶界保留着柱状晶的生长形态，粗晶区内的原始奥氏体晶界呈多边形生长；
细晶区和混晶区均为铁素体和马氏体，但细晶区的显微组织更为精细；
回火区主要由铁素体和回火马氏体组成。
混晶区和回火区显微硬度均低于母材，共同组成了焊接接头的软化区。
由于软化区尺寸相对较窄（0.4mm）且硬度降低幅度低（~6.8%），拉伸断裂位置出现在母材。
在应力比为0.1的拉拉疲劳条件下，母材和焊接接头的疲劳极限分别为545MPa和475MPa，疲劳断裂未出现在软化区。
母材中的疲劳裂纹在铁素体与马氏体两相界面萌生并扩展；
而焊接接头中的疲劳裂纹则在焊缝中的奥氏体晶界上或马氏体板条内萌生，沿着焊缝中心处柱状原始奥氏体晶界的交汇处切断马氏体板条束扩展。
2023/8/14 11:37:40
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本文提出用不同离焦的高分辨电子显微像光学方法叠加,改善带有非旋转对称像差的电子显微像相位衬度传递的数.使叠加后传递函数在全场区域同相位,并使传递函数的零值由另一传递函数的峰值填补,改善了电子显微像的像质.
2023/7/14 11:14:18
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采用激光熔覆技术在45#钢表面分别制备了Ni60A涂层及SiC/Ni60A复合涂层。
采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪对涂层进行了显微组织和物相分析,并测试了熔覆层的显微硬度和耐冲蚀磨损性能。
结果表明,在激光作用下,SiC由于具有较小的生成热容易溶解在合金涂层中。
熔覆层的物相主要由γ(Ni-Cr-Fe)固溶体及Fe7C3,Fe0.79C0.12Si0.09等化合物组成。
在固溶强化、第二相强化及细晶强化的共同作用下,SiC/Ni60A涂层的抗冲蚀性能显著提高,涂层的显微硬度也明显增加。
采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪对涂层进行了显微组织和物相分析,并测试了熔覆层的显微硬度和耐冲蚀磨损性能。
结果表明,在激光作用下,SiC由于具有较小的生成热容易溶解在合金涂层中。
熔覆层的物相主要由γ(Ni-Cr-Fe)固溶体及Fe7C3,Fe0.79C0.12Si0.09等化合物组成。
在固溶强化、第二相强化及细晶强化的共同作用下,SiC/Ni60A涂层的抗冲蚀性能显著提高,涂层的显微硬度也明显增加。
2023/6/7 18:40:39
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本文介绍一种光学/数字混合图像处理方法,它可用于星体斑点干涉术,以克服大气扰动的影响,使天文望远镜达到理论衍射极限.混合处理系统包括相干光傅里叶交换装置、光学输出数字化的显微密度计和微计算机三部分。
在简单分析星体斑点干涉术数据处理的要求之后,本文将叙述系统各部分的组成和设计,介绍处理模拟星体图像的结果,讨论今后的发展和其它可能的应用。
在简单分析星体斑点干涉术数据处理的要求之后,本文将叙述系统各部分的组成和设计,介绍处理模拟星体图像的结果,讨论今后的发展和其它可能的应用。
2023/6/7 17:28:32
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如何有效校正随人群崎岖很大的人眼像差，提高视网膜高分辨率成像技术的人群适用范围是临床应用面临的最大难题。
现有的单一波前校正器无法同时清除高阶和低阶视觉像差。
针对人眼高阶像差校正需求，研制成功了169单元3mm极间距分立式压电变形镜，并与大行程Bimorph变形镜组合，建立了一套双变形镜的人眼视网膜成像系统。
系统可实现对离焦小于±4.5D、散光小于±3.0D的低阶像差及前8阶Zernike像差的有效校正，极大地提高了系统的人群适用范围和成像质量。
以低阶像差大小作为入选标准，进行小样本量人眼视网膜成像实验，获得了近衍射极限的视网膜图像。
该系统适用范围明确，便于后续临床应用。
现有的单一波前校正器无法同时清除高阶和低阶视觉像差。
针对人眼高阶像差校正需求，研制成功了169单元3mm极间距分立式压电变形镜，并与大行程Bimorph变形镜组合，建立了一套双变形镜的人眼视网膜成像系统。
系统可实现对离焦小于±4.5D、散光小于±3.0D的低阶像差及前8阶Zernike像差的有效校正，极大地提高了系统的人群适用范围和成像质量。
以低阶像差大小作为入选标准，进行小样本量人眼视网膜成像实验，获得了近衍射极限的视网膜图像。
该系统适用范围明确，便于后续临床应用。
2023/2/22 15:40:20
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利用CO2激光对火焰喷涂制备的Ni-WC复合涂层进行了重熔实验,通过扫描电镜(SEM)观察了其重熔后表面形貌,测试了含有不同WC体积分数样品重熔前后的涂层显微硬度,并分析了WC含量对涂层组织及耐磨性的影响。
实验结果表明,火焰喷涂制备的涂层气孔随着WC颗粒含量增大而增多,经激光重熔后气孔明显减少;激光重熔后的涂层显微硬度比火焰喷涂的涂层显微硬度提高约20%,WC体积分数为6%时涂层显微硬度达到最大值;激光重熔处理后的涂层耐磨性随着WC含量的增加而增大,WC体积分数为6%时,其耐磨性达到最佳值。
实验结果表明,火焰喷涂制备的涂层气孔随着WC颗粒含量增大而增多,经激光重熔后气孔明显减少;激光重熔后的涂层显微硬度比火焰喷涂的涂层显微硬度提高约20%,WC体积分数为6%时涂层显微硬度达到最大值;激光重熔处理后的涂层耐磨性随着WC含量的增加而增大,WC体积分数为6%时,其耐磨性达到最佳值。
2023/2/21 22:54:13
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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