基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC电学、光学特性进行了理论计算和分析。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
杂质形成能的计算结果表明，Ge原子占据Si位后能量更低，愈加稳定。
通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC的价带顶主要由C的2p态占据，而导带底由Si的3p态占据。
随着更多的Ge掺入，导带底位置逐渐由Si的3p态电子决定转变为Ge的4p态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。
比较介电常数发现，对Ge掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9eV及3.5eV。
2016/1/9 15:54:20
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为了获得高反复频率的飞秒激光脉冲，将突发运行模式引入飞秒碟片再生放大系统中。
通过将再生放大器的腔长设计为9.3m,激光系统输出了接近衍射极限的激光脉冲，且激光脉冲的反复频率为电光调制频率的5倍。
在电光调制频率为5kHz、吸收的抽运功率为98W的条件下，获得了最高输出功率为10.7W、光谱半峰全宽为1.18nm、脉冲宽度为777fs的双曲正割脉冲输出。
再生放大器的光-光转换效率随着电光调制频率的增加而增加，从频率为0.5kHz时的12.4%增加到频率为5kHz时的25.3%。
激光的输出稳定性在18~20℃的温度区间内随着水冷温度的降低而提高，激光系统输出功率的均方根从20℃时
通过将再生放大器的腔长设计为9.3m,激光系统输出了接近衍射极限的激光脉冲，且激光脉冲的反复频率为电光调制频率的5倍。
在电光调制频率为5kHz、吸收的抽运功率为98W的条件下，获得了最高输出功率为10.7W、光谱半峰全宽为1.18nm、脉冲宽度为777fs的双曲正割脉冲输出。
再生放大器的光-光转换效率随着电光调制频率的增加而增加，从频率为0.5kHz时的12.4%增加到频率为5kHz时的25.3%。
激光的输出稳定性在18~20℃的温度区间内随着水冷温度的降低而提高，激光系统输出功率的均方根从20℃时
2020/6/15 22:28:34
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为了获得高反复频率的飞秒激光脉冲，将突发运行模式引入飞秒碟片再生放大系统中。
通过将再生放大器的腔长设计为9.3m,激光系统输出了接近衍射极限的激光脉冲，且激光脉冲的反复频率为电光调制频率的5倍。
在电光调制频率为5kHz、吸收的抽运功率为98W的条件下，获得了最高输出功率为10.7W、光谱半峰全宽为1.18nm、脉冲宽度为777fs的双曲正割脉冲输出。
再生放大器的光-光转换效率随着电光调制频率的增加而增加，从频率为0.5kHz时的12.4%增加到频率为5kHz时的25.3%。
激光的输出稳定性在18~20℃的温度区间内随着水冷温度的降低而提高，激光系统输出功率的均方根从20℃时
通过将再生放大器的腔长设计为9.3m,激光系统输出了接近衍射极限的激光脉冲，且激光脉冲的反复频率为电光调制频率的5倍。
在电光调制频率为5kHz、吸收的抽运功率为98W的条件下，获得了最高输出功率为10.7W、光谱半峰全宽为1.18nm、脉冲宽度为777fs的双曲正割脉冲输出。
再生放大器的光-光转换效率随着电光调制频率的增加而增加，从频率为0.5kHz时的12.4%增加到频率为5kHz时的25.3%。
激光的输出稳定性在18~20℃的温度区间内随着水冷温度的降低而提高，激光系统输出功率的均方根从20℃时
2018/6/26 12:34:49
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本教材是为了顺应现代通信技术发展的需要而编写，其总体目标是通过对《现代通信技术》教学内容的深人研究，从全程全网和网络融合的角度讲述各类先进的通信技术，力争构建具有科学性、系统性、新颖性和先进性的知识结构与内容体系，强调工程方法论基本思想的学习与培养，不仅使学生能够在网络分层概念的基础上学习到各类先进的通信技术知识，更重要的是培养学生掌握科学的研究方法和迅速学习新技术的能力，为成为高素质的创新人才奠定基础。
2018/5/18 23:15:39
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利用太赫兹时域光谱系统(THz-TDS)对Sierpinski分形结构太赫兹透射特性进行了研究，结果表明：太赫兹脉冲通过Sierpinski分形结构会产生多个透射通带与禁带，透射通带与禁带的位置对样品结构存在一定的尺度依赖性。
随着结构阵列的增加，透射峰与禁带都有加强的趋势。
通过对缺级样品的分析，进而得出：透射峰与禁带的产生次要是由于方孔对太赫兹波的耦合作用，且不同的透射峰与禁带是由不同阶孔对太赫兹波的耦合作用产生的：低频区的透射峰与禁带次要是由低级分形方孔对太赫兹波的耦合引起的，高频区的透射峰与禁带次要是由高级分形方孔对太赫兹波的耦合作用引起的。
随着结构阵列的增加，透射峰与禁带都有加强的趋势。
通过对缺级样品的分析，进而得出：透射峰与禁带的产生次要是由于方孔对太赫兹波的耦合作用，且不同的透射峰与禁带是由不同阶孔对太赫兹波的耦合作用产生的：低频区的透射峰与禁带次要是由低级分形方孔对太赫兹波的耦合引起的，高频区的透射峰与禁带次要是由高级分形方孔对太赫兹波的耦合作用引起的。
2020/10/12 16:40:58
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ES6标准入门（第三版）阮一峰，与官网最新的分歧，也对比书籍。
高清带目录非扫描版，可以直接复制代码。
包含pdf，mobi，epub，可以放在kindle上直接阅读。
个人也正在研读
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2018/10/25 22:46:16
4.26MB
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随机信号阐发(第3版)[李晓峰等编著][习题解答]随机信号阐发(第3版)[李晓峰等编著][习题解答]随机信号阐发(第3版)[李晓峰等编著][习题解答]随机信号阐发(第3版)[李晓峰等编著][习题解答]随机信号阐发(第3版)[李晓峰等编著][习题解答]随机信号阐发(第3版)[李晓峰等编著][习题解答]随机信号阐发(第3版)[李晓峰等编著][习题解答]
2022/10/25 19:58:34
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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