完整英文版UL2251：2017StandardforPlugs,Receptacles,andCouplersforElectricVehicles（电动汽车的插头，插座和耦合器），本标准涵盖额定值高达800安培和交流或直流600伏的EV插头，EV插座，车辆入口，车辆连接器和EV分离式联轴器。
这些设备旨在与导电电动车辆供应设备（EVSE）一同使用，并旨在促进从EVSE到车辆的导电连接。
根据附件A、参考文献A，这些设备可在室内或室外非危险场所使用。
这些设备旨在与导电电动车辆供应设备（EVSE）一同使用，并旨在促进从EVSE到车辆的导电连接。
根据附件A、参考文献A，这些设备可在室内或室外非危险场所使用。
2019/7/13 17:02:19
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摘要:为处理适用于RIA应用系统开发的设计模式的问题，提出引出MVVM模式。
该模式由视图、视图模型、模型三部分组成，通过实现INotifyPropertyChanged接口，处理模型到视图模型的数据传导问题，使模型独立于视图模型，通过实现ICommand接口，处理视图中的事件绑定问题，结合数据绑定，使视图模型独立于视图。
通过实现Mediator模式(中介者模式)完成模型与模型之间的交互，并在一定程度上减少模型与模型之间的耦合度。
关键词RIASilverlightModel-View-ViewModel中介者模式RIA(RichInternetApplication)技术是近年来发展较快的实现W
该模式由视图、视图模型、模型三部分组成，通过实现INotifyPropertyChanged接口，处理模型到视图模型的数据传导问题，使模型独立于视图模型，通过实现ICommand接口，处理视图中的事件绑定问题，结合数据绑定，使视图模型独立于视图。
通过实现Mediator模式(中介者模式)完成模型与模型之间的交互，并在一定程度上减少模型与模型之间的耦合度。
关键词RIASilverlightModel-View-ViewModel中介者模式RIA(RichInternetApplication)技术是近年来发展较快的实现W
2018/9/15 15:07:36
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Sansen教授是欧洲第一的模拟ic设计大师，水平自然不在话下。
他编的书也很有特色，是ppt的方式。
他的书既体现了扎实的模拟ic基本功，又考虑了读者的学习接受过程。
他甚至可以把多级运放、轨到轨运放、offset和cmrr、电路中的耦合效应等等有些“偏”的内容作为独立的章节，却又讲述的系统而完整。
他编的书也很有特色，是ppt的方式。
他的书既体现了扎实的模拟ic基本功，又考虑了读者的学习接受过程。
他甚至可以把多级运放、轨到轨运放、offset和cmrr、电路中的耦合效应等等有些“偏”的内容作为独立的章节，却又讲述的系统而完整。
2020/10/22 21:21:29
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Sansen教授是欧洲第一的模拟ic设计大师，水平自然不在话下。
他编的书也很有特色，是ppt的方式。
他的书既体现了扎实的模拟ic基本功，又考虑了读者的学习接受过程。
他甚至可以把多级运放、轨到轨运放、offset和cmrr、电路中的耦合效应等等有些“偏”的内容作为独立的章节，却又讲述的系统而完整。
他编的书也很有特色，是ppt的方式。
他的书既体现了扎实的模拟ic基本功，又考虑了读者的学习接受过程。
他甚至可以把多级运放、轨到轨运放、offset和cmrr、电路中的耦合效应等等有些“偏”的内容作为独立的章节，却又讲述的系统而完整。
2020/10/22 21:21:29
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通过固相React法合成了一系列掺杂Eu3+的红色荧光粉MMgP2O7（M=Ca，Sr，Ba）。
X射线粉末衍射（XRD）分析证明了纯CaMgP2O7，SrMgP2O7和BaMgP2O7相的形成。
MMgP2O7（M=Ca，Sr，Ba）：Eu3+荧光粉的光致发光光谱在约400nm处显示出很强的激发峰，这与紫外发光二极管的特征发射（350-400nm）耦合。
CaMgP2O7：Eu3+，SrMgP2O7：Eu3+和BaMgP2O7：Eu3+荧光粉显示出强的发射带，分别在612、593和587nm处达到峰值。
由于Ba2+（0.142nm），Sr2+（0.126nm），Ca2+（0.112nm），Mg2+（0.072nm）和Eu3+（0.107nm）之间离子大小的差异，Eu3+离子有望替代CaMgP2O7中的不同位点。
，SrMgP2O7和BaMgP2O7晶格。
X射线粉末衍射（XRD）分析证明了纯CaMgP2O7，SrMgP2O7和BaMgP2O7相的形成。
MMgP2O7（M=Ca，Sr，Ba）：Eu3+荧光粉的光致发光光谱在约400nm处显示出很强的激发峰，这与紫外发光二极管的特征发射（350-400nm）耦合。
CaMgP2O7：Eu3+，SrMgP2O7：Eu3+和BaMgP2O7：Eu3+荧光粉显示出强的发射带，分别在612、593和587nm处达到峰值。
由于Ba2+（0.142nm），Sr2+（0.126nm），Ca2+（0.112nm），Mg2+（0.072nm）和Eu3+（0.107nm）之间离子大小的差异，Eu3+离子有望替代CaMgP2O7中的不同位点。
，SrMgP2O7和BaMgP2O7晶格。
2015/6/12 20:17:45
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秉承高内聚低耦合的指点思想，编写的motor_run（）函数，可以指定步进电机的速度和角度。
速度可正可负，角度为角度制。
速度可正可负，角度为角度制。
2020/7/3 12:28:02
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基于小波距量法(MOM)研讨了微粗糙光学基片表面与上方冗余粒子的差值光散射特性。
从基本电场积分方程出发,推导出冗余粒子目标与光学基片微粗糙面的积分方程,得到阻抗矩阵,进而推导出散射耦合场及差值场,给出复合散射模型双站散射截面的计算公式,数值计算并分析了不同入射角度,不同材质的单个及双个冗余缺陷粒子与微粗糙光学基片表面的双站散射截面及差值双站散射截面的散射角分布,给出冗余粒子及微粗糙面的散射贡献及差值场散射角分布。
从基本电场积分方程出发,推导出冗余粒子目标与光学基片微粗糙面的积分方程,得到阻抗矩阵,进而推导出散射耦合场及差值场,给出复合散射模型双站散射截面的计算公式,数值计算并分析了不同入射角度,不同材质的单个及双个冗余缺陷粒子与微粗糙光学基片表面的双站散射截面及差值双站散射截面的散射角分布,给出冗余粒子及微粗糙面的散射贡献及差值场散射角分布。
2016/7/18 19:36:13
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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