采用内核驱动侏注入方式，在程序启动的时候注入DLL。
具体实现采用SSDTHOOkNtCreateProcessNtCreateThread等函数实现，待改进点：SSDT中未导出函数的地址获得方式（或索引获得方式）
具体实现采用SSDTHOOkNtCreateProcessNtCreateThread等函数实现，待改进点：SSDT中未导出函数的地址获得方式（或索引获得方式）
2024/7/4 11:45:24
711KB
1
本人也自学了3年易语言破解补丁参考了吾爱破解大佬的给的文件注入也是吾爱破解大佬写的注入器大佬的超级模块是修改过的已经打包好精易模块随便网上找把不过这个注入器WIN10下要管理员运行管理员运行后不能拖入文件进去要自己手动选好麻烦之前我是直接修改网卡MAC配合大佬的HOOK硬盘来无限体验的不过网吧用户用不了但现在我破解补丁已经写好了WIN10如果权限不足就右键管理员运行cdyhook.dll是破解补丁启动注入DLL（要点一键启动注入）.exe是注入器DLL注入成功后《注入器》可以关闭，纯源码绝对没盗号和对电脑有损害的代码手机号要没体验过UU的才能获取到3天时间
2024/7/1 3:48:12
5.82MB
1
我们首次向我们报告关于通过6.0MeV碳注入和6.0x10（14）离子/cm（2）剂量的Er3+/Vb（3+）共掺杂硅酸盐玻璃制造平面波导的报道）。
导光性能通过He-Ne光束的棱镜耦合和端面耦合方法进行测量。
平面波导的折射率分布是通过反射率计算方法重建的，该方法显示了典型的“增强阱+光学势垒”分布。
微发光和拉曼研究表明，通过将碳注入波导中，整体特征不会显着劣化，从而展示了集成有源光子器件的可能应用。
由ElsevierBV发布
导光性能通过He-Ne光束的棱镜耦合和端面耦合方法进行测量。
平面波导的折射率分布是通过反射率计算方法重建的，该方法显示了典型的“增强阱+光学势垒”分布。
微发光和拉曼研究表明，通过将碳注入波导中，整体特征不会显着劣化，从而展示了集成有源光子器件的可能应用。
由ElsevierBV发布
2024/6/24 14:08:46
421KB
1
介绍了激光微推进技术的靶特性研究情况，探讨了激光微推进技术中的靶特性对力学性能的影响。
从靶材结构和靶材掺杂两个方面的特性进行了研究。
结果表明，在约束条件下，冲量耦合系数存在一个最优值，烧蚀靶厚度越小，最优冲量耦合系数越大，对应的激光注入能量越小，比冲也越高；
掺杂能够增强靶材对激光能量的吸收，使得单位质量产生推力的效率提高，同时也会增强其他能量耗散机制，使得冲量耦合系数降低。
从靶材结构和靶材掺杂两个方面的特性进行了研究。
结果表明，在约束条件下，冲量耦合系数存在一个最优值，烧蚀靶厚度越小，最优冲量耦合系数越大，对应的激光注入能量越小，比冲也越高；
掺杂能够增强靶材对激光能量的吸收，使得单位质量产生推力的效率提高，同时也会增强其他能量耗散机制，使得冲量耦合系数降低。
2024/6/20 20:01:05
2.54MB
1
PS4远程播放拦截器一个小型的.NET库，由支持，可拦截WindowsPS4RemotePlay上的控件。
该库可用于自动执行任何PS4游戏。
请参阅。
另外，请检出存储库，以获取在此库上构建的即用型软件。
安装使用NuGet（推荐）Install-PackagePS4RemotePlayInterceptor从来源添加对PS4RemotePlayInterceptor.dll的引用。
用法示例该控制台应用程序将按住X按钮，同时向上移动左模拟摇杆，直到被按键打断。
您可以将EmulateController设置为true以在未插入DualShock4控制器的情况下使用该库（必须拔出实际的控制器）。
usingPS4RemotePlayInterceptor;classProgram{staticvoidMain(string[]args){//SetupcallbacktointerceptorInterceptor.Callback=newIntercep
该库可用于自动执行任何PS4游戏。
请参阅。
另外，请检出存储库，以获取在此库上构建的即用型软件。
安装使用NuGet（推荐）Install-PackagePS4RemotePlayInterceptor从来源添加对PS4RemotePlayInterceptor.dll的引用。
用法示例该控制台应用程序将按住X按钮，同时向上移动左模拟摇杆，直到被按键打断。
您可以将EmulateController设置为true以在未插入DualShock4控制器的情况下使用该库（必须拔出实际的控制器）。
usingPS4RemotePlayInterceptor;classProgram{staticvoidMain(string[]args){//SetupcallbacktointerceptorInterceptor.Callback=newIntercep
2024/6/19 10:36:20
276KB
1
分析了基于平行排列3×3耦合器的双环结构全光缓存器的原理,提出了4种全光缓存器的读写方法：正相光脉冲控制法,反相光脉冲控制法,正相电脉冲控制法和反相电脉冲控制法,介绍了0.89π相移的调节方法,构建了一个环长63m的光缓存器的实验系统,实验不仅验证了4种读写方法,而且结果表明,当缓存圈数超过20圈时,反相光脉冲控制法是唯一可行的方法,实验还发现使用光脉冲控制法时,为了抑制噪声需要提高控制激光器的偏置电流,使控制光的直流分量在500μW～1mW之间,或者注入不同于信号光和控制光的直流光。
使用电脉冲控制法时,也必须注入直流光来抑制噪声。
使用电脉冲控制法时,也必须注入直流光来抑制噪声。
2024/6/18 14:32:02
2.18MB
1
利用STM32上的ADC、TIM2、DMA实现对多个通道的交流正弦信号的采样，并计算分别得其有效值，通道数目可以根据需要自行增加，另外保留了注入通道的使用。
为了减轻MCU的负担，利用STM32的DMA功能；
另外采用串口输出到PC机上（串口调试助手），以利于观察采样计算后得到的有效值。
为了减轻MCU的负担，利用STM32的DMA功能；
另外采用串口输出到PC机上（串口调试助手），以利于观察采样计算后得到的有效值。
2024/6/17 20:29:39
1.67MB
1
其中，N和S分别为载流子浓度和光子密度，g为对光子密度的增益系数，N是透明载流子密度，τ表示谐振腔中载流子寿命(注入载流子到由于光子的受激辐射复合以及自发发射和非发光复合而消失的平均时间)，τ表示谐振腔中光子寿命(从光子产生到光子丢失为止的平均时间)，Γ是光限制因子(表示在谐振腔内所有光能中有源层内部所包含的比例)，β是自发发射耦合进激射模中的比率即自发辐射因子，J是注入有源层的电流，q是电子电荷，V是有源层体积。
2024/6/12 16:49:35
1KB
1
在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
15KB