我们数值研究碲介电共振器超材料在红外波长下的电磁功能。
详细研究了周期性碲超材料结构的透射光谱，有效介电常数和磁导率。
结构在磁场Wx方向上的线宽对电谐振和磁共振模式的位置和强度有影响。
通过适当优化设计结构的几何尺寸，所提出的碲超材料结构可以在相同频带中提供电共振模式和高阶磁共振模式。
这将有助于分析和设计红外波长下的低损耗负折射率超材料。
详细研究了周期性碲超材料结构的透射光谱，有效介电常数和磁导率。
结构在磁场Wx方向上的线宽对电谐振和磁共振模式的位置和强度有影响。
通过适当优化设计结构的几何尺寸，所提出的碲超材料结构可以在相同频带中提供电共振模式和高阶磁共振模式。
这将有助于分析和设计红外波长下的低损耗负折射率超材料。
2019/10/23 4:13:16
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•精准的位置控制依照输入脉冲的数量，确定轴转动的角度。
位置误差非常小（小于1/10度），且不累积。
•精确的转速步进电机的转速取决于输入电脉冲的频率，可以实现精确控制和方便调节。
因而被广泛地应用于各种运动控制领域。
•正向/反向转动，急停及锁定功能在整个速度范围内都可以实现对电机力矩和位置的有效控制，包括静力矩。
在电机锁定状态下（电机绕组中存在电流，而外部没有旋转的脉冲指令输入），仍然保持一定的力矩输出。
•低转速条件下的精准位置控制步进电机不需要借助齿轮箱的调节，就可以在非常低的转速下平稳运行，同时输出较大的力矩，避免了功率的损耗和角度位置偏差，同时降低了成本，节省了空间。
•更长的使用寿命步进电机的无电刷设计保证了电机的使用寿命很长。
步进电机的寿命通常取决于轴承。
位置误差非常小（小于1/10度），且不累积。
•精确的转速步进电机的转速取决于输入电脉冲的频率，可以实现精确控制和方便调节。
因而被广泛地应用于各种运动控制领域。
•正向/反向转动，急停及锁定功能在整个速度范围内都可以实现对电机力矩和位置的有效控制，包括静力矩。
在电机锁定状态下（电机绕组中存在电流，而外部没有旋转的脉冲指令输入），仍然保持一定的力矩输出。
•低转速条件下的精准位置控制步进电机不需要借助齿轮箱的调节，就可以在非常低的转速下平稳运行，同时输出较大的力矩，避免了功率的损耗和角度位置偏差，同时降低了成本，节省了空间。
•更长的使用寿命步进电机的无电刷设计保证了电机的使用寿命很长。
步进电机的寿命通常取决于轴承。
2022/9/7 20:56:13
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研究了光学涡旋在光纤中传播特性。
从Maxwell方程出发，推导光波导中的波动方程，并进行阶跃光纤传输的本征模式求解，根据光学涡旋模式(OAM模)和线偏振模式(LP模)与矢量模式之间的关系，解出光学涡旋以及线偏振模在光纤中的模式分布，理论分析了光学涡旋在光纤中较LP模的传播优势，并通过计算模仿其在弯折光纤中的传播过程，发现其光场强度空间分布具有周期性旋转特性。
研究光纤弯曲半径以及涡旋拓扑荷对光学涡旋传播的影响。
光纤弯曲半径越小，传输损耗越大；
涡旋拓扑荷越大,传输损耗越大，对应的旋转周期越小。
从Maxwell方程出发，推导光波导中的波动方程，并进行阶跃光纤传输的本征模式求解，根据光学涡旋模式(OAM模)和线偏振模式(LP模)与矢量模式之间的关系，解出光学涡旋以及线偏振模在光纤中的模式分布，理论分析了光学涡旋在光纤中较LP模的传播优势，并通过计算模仿其在弯折光纤中的传播过程，发现其光场强度空间分布具有周期性旋转特性。
研究光纤弯曲半径以及涡旋拓扑荷对光学涡旋传播的影响。
光纤弯曲半径越小，传输损耗越大；
涡旋拓扑荷越大,传输损耗越大，对应的旋转周期越小。
2022/9/7 14:25:21
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针对油田区域配电网负荷大、无功严重不足、电力损耗大的特点,提出了一种适用于油田区域电网的无功优化方法。
该方法建立了综合考虑系统的经济性和安全性并使其互为约束的无功优化数学模型,并采用在电力系统无功优化领域应用较少的差分进化算法对模型进行求解。
该方法具有优化结果与初始值的选取无关、需要控制量少和容易找到全局最优解的优点,实例分析和不同优化算法对比结果表明了所提出的区域配电网无功优化方法的可行性和无效性。
该方法建立了综合考虑系统的经济性和安全性并使其互为约束的无功优化数学模型,并采用在电力系统无功优化领域应用较少的差分进化算法对模型进行求解。
该方法具有优化结果与初始值的选取无关、需要控制量少和容易找到全局最优解的优点,实例分析和不同优化算法对比结果表明了所提出的区域配电网无功优化方法的可行性和无效性。
2022/9/3 8:30:05
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本文报道了太赫兹地区的一种多频带超材料（MM）吸收器的设计。
理论和模拟结果表明，该吸收器在1.69、2.76、3.41和5.06THz处具有四个明显而强的吸收点，这与某些爆炸性材料的“指纹”一致。
检索到的材料参数表明，可以将MM的阻抗调整为近似婚配自由空间的阻抗，以最小化吸收频率处的反射率，并且在吸收频率处存在大功率损耗。
功率损耗的分布表明，吸收器是出色的电磁波收集器：首先在特定的特定位置捕获并增强波，然后将其吸收。
这种多频带吸收器可用于爆炸物检测和材料表征。
理论和模拟结果表明，该吸收器在1.69、2.76、3.41和5.06THz处具有四个明显而强的吸收点，这与某些爆炸性材料的“指纹”一致。
检索到的材料参数表明，可以将MM的阻抗调整为近似婚配自由空间的阻抗，以最小化吸收频率处的反射率，并且在吸收频率处存在大功率损耗。
功率损耗的分布表明，吸收器是出色的电磁波收集器：首先在特定的特定位置捕获并增强波，然后将其吸收。
这种多频带吸收器可用于爆炸物检测和材料表征。
2022/9/2 22:24:29
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matlab中补充模代码double_binary_search该代码脚本在Matlab中完成了双二进制搜索算法，以驱动光学仿真工具Lumerical来找到模式转换器设备的优化结果。
我们考虑了三个优化参数（传输，回波损耗和耦合）。
我们还添加了这样的功能，即该优化结果对制造误差具有10％的容忍度。
我们考虑了三个优化参数（传输，回波损耗和耦合）。
我们还添加了这样的功能，即该优化结果对制造误差具有10％的容忍度。
2021/9/19 21:14:31
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Whyfiber?光接入网是指在接入网中采用光纤作为主要传输媒质的接入技术，相比较其他的如铜线接入技术和无线接入技术等而言，光接入网具有传输容量大、传输距离长、对业务透明性好等优点，是固定接入领域内最佳的处理方案。
传输容量大带宽可达25THz，约1010路电话？传输损耗小，长距离传送能力1310nm窗口损耗0.35dB/km，＞20km抗干扰性好，保密性强，使用安全功率低，无电磁干扰，耐高温腐蚀环境材料资源丰富，成本低***三网融合网络技术第三讲三网融合接入部分网络结构（PON）三网融合接入网概述1PON网络结构2本讲目录WhyFiber?传输容量大传输损耗小泄露小，保密性好节省有色金属……光接入网（OAN，OpticalAccessNetwork）在接入网中采用光纤作为主要传输媒质的接入技术三网融合光接入光接入网技术功能参考模型应用类型按照ONU在光接入网中所处的具体位置不同，可以将OAN划分为三种基本的应用类型FTTC(光纤到路边）FTTB（光纤到楼）FTTH（光纤到户）三网融合光接入网技术Why
传输容量大带宽可达25THz，约1010路电话？传输损耗小，长距离传送能力1310nm窗口损耗0.35dB/km，＞20km抗干扰性好，保密性强，使用安全功率低，无电磁干扰，耐高温腐蚀环境材料资源丰富，成本低***三网融合网络技术第三讲三网融合接入部分网络结构（PON）三网融合接入网概述1PON网络结构2本讲目录WhyFiber?传输容量大传输损耗小泄露小，保密性好节省有色金属……光接入网（OAN，OpticalAccessNetwork）在接入网中采用光纤作为主要传输媒质的接入技术三网融合光接入光接入网技术功能参考模型应用类型按照ONU在光接入网中所处的具体位置不同，可以将OAN划分为三种基本的应用类型FTTC(光纤到路边）FTTB（光纤到楼）FTTH（光纤到户）三网融合光接入网技术Why
2016/5/26 22:27:37
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第十一讲PON网络ODN设计ODN网络及功率参数要求1ODN网路设计2本讲目录ODN网络及功率参数要求端到端光纤链路损耗的预算方法：FTTH线路系统的光通道损耗包括了S/R和R/S(S：光发信号参考点；
R：光收信号参考点)参考点之间所有光纤和无源光元件（例如光分路器、活动连接器和光接头等）所引入的损耗。
?光通道的损耗计算可采用最坏值法，该方法是将所有光通道中的光元件损耗值迭加起来即为光通道总的损耗。
EPON系统光链路的光功率预算对于EPON，光纤链路光通道损耗技术目标要求如下(基于IEEE802.3-2005和YD/T1475-2006标准）国内运营商普遍采用PX20光模块，所以光功率预算分别为24（上行）、23.5dB（下行）从OLT到ONU的全程光链路损耗必须小于上述标准值。
ODN网络及功率参数要求对于PON的上下行信号，可采用光纤衰减较大的1310nm波长进行光纤链路损耗预算。
预算可采用下列工程参数：G.652单模光纤衰减：≤0.36dB/km（1310nm）；
光纤熔接损耗：0.02dB~0.05dB；
光纤跳纤、尾纤插入损耗：0.2
R：光收信号参考点)参考点之间所有光纤和无源光元件（例如光分路器、活动连接器和光接头等）所引入的损耗。
?光通道的损耗计算可采用最坏值法，该方法是将所有光通道中的光元件损耗值迭加起来即为光通道总的损耗。
EPON系统光链路的光功率预算对于EPON，光纤链路光通道损耗技术目标要求如下(基于IEEE802.3-2005和YD/T1475-2006标准）国内运营商普遍采用PX20光模块，所以光功率预算分别为24（上行）、23.5dB（下行）从OLT到ONU的全程光链路损耗必须小于上述标准值。
ODN网络及功率参数要求对于PON的上下行信号，可采用光纤衰减较大的1310nm波长进行光纤链路损耗预算。
预算可采用下列工程参数：G.652单模光纤衰减：≤0.36dB/km（1310nm）；
光纤熔接损耗：0.02dB~0.05dB；
光纤跳纤、尾纤插入损耗：0.2
2020/11/1 23:05:30
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FP7209是一颗非同步升压LED驱动IC，控制外部开关NMOS，输入低启动电压2.8V，工作电压5V，VFB反馈电压0.25V，反馈电压低，取样电阻功率损耗也降低，整体转换效率提升。
软启动时间透过外部电容调整，LED开路保护透过外部电阻调整，LED短路保护透过SC控制NMOS；
调光控制DIMPin，DIM内部有滤波器，可以实现线性与數位调光；
输入透过分压电阻接到ENpin，可以控制FP7209启动与关闭电压準位；
有过电流保护，避免开关NMOS电流过大形成损坏；
内置过热保护功能。
方案功能及特点启动电压2.8V工作电压範围5V~24VVFB反馈电压0.25V线性与数位调光控制关机耗电流最大6μA固定工作频率150kHz/SOP-8L（EP）可调工作频率100kHz~1000kHz/TSSOP-14L（EP）可调软启动时间/TSSOP-14L（EP）可调输入低电压保护（UVP）/TSSOP-14L（EP）LED开路保护（OVP）LED短路保护（SCP）/TSSOP-14L（EP）
软启动时间透过外部电容调整，LED开路保护透过外部电阻调整，LED短路保护透过SC控制NMOS；
调光控制DIMPin，DIM内部有滤波器，可以实现线性与數位调光；
输入透过分压电阻接到ENpin，可以控制FP7209启动与关闭电压準位；
有过电流保护，避免开关NMOS电流过大形成损坏；
内置过热保护功能。
方案功能及特点启动电压2.8V工作电压範围5V~24VVFB反馈电压0.25V线性与数位调光控制关机耗电流最大6μA固定工作频率150kHz/SOP-8L（EP）可调工作频率100kHz~1000kHz/TSSOP-14L（EP）可调软启动时间/TSSOP-14L（EP）可调输入低电压保护（UVP）/TSSOP-14L（EP）LED开路保护（OVP）LED短路保护（SCP）/TSSOP-14L（EP）
2016/8/22 22:31:45
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利用频域有限差分法，分析了两种典型晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。
研究表明：平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗次要是由本征吸收和导模共振吸收引起，而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值；
织构型的晶硅电池内部光场分布复杂，可在光垂直入射情况下，使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应，且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应，从而使织构型晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性，且其吸收峰峰值大于平板型晶硅电池的吸收峰峰值。
研究表明：平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗次要是由本征吸收和导模共振吸收引起，而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值；
织构型的晶硅电池内部光场分布复杂，可在光垂直入射情况下，使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应，且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应，从而使织构型晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性，且其吸收峰峰值大于平板型晶硅电池的吸收峰峰值。
2021/4/3 22:12:24
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在日常工作中，钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而，有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。
每天早晚，我总是得牢记打开钉钉应用，点击"工作台"，再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌，会忘记打卡，导致考勤异常，影响当月的工作评价。而且，由于我使用的是苹果手机，有时候系统更新后，钉钉的某些功能会出现异常，使得打卡变得更加麻烦。
另外，我的家人使用的是安卓手机，他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说，每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误，导致打卡失败。
为了解决这些烦恼，我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习，我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03
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