本教材介绍了五个方面的内容:MOS器件基本原理以及主要的特性,VLSI中逻辑结构的主要设计方法,用于VLSI系统的模拟集成单元设计方法,VLSI的测试问题与相关技术,VLSI设计系统及其组成。
涉及了五个方面的基础知识:MOS器件基础知识,半导体工艺基础知识,集成电路版图基础知识,逻辑、电路设计基础知识和CAD基础知识。
《VLSI设计基础》作为VLSI设计基础教材,注重相关理论的结论和知识的应用。
可作为本科生教材和研究生参考书。
第1章VLSI设计基础概述1.1VLSI设计技术基础与主流制造技术1.2VLSI设计方法与设计技术1.3新技术对VLSI的贡献1.4ASIC和VLSI1.5SOC1.6VLSI的版图结构和设计技术1.6.1VLSI的版图总体结构1.6.2VLSI版图的内部结构第2章MOS器件与工艺基础2.1MOS晶体管基础2.1.1MOS晶体管结构及基本工作原理2.1.2MOS晶体管的阈值电压VT2.1.3MOS晶体管的电流-电压方程2.1.4MOS晶体管的平方律转移特性2.1.5MOS晶体管的跨导gm2.1.6MOS晶体管的直流导通电阻2.1.7MOS晶体管的交流电阻2.1.8MOS晶体管的最高工作频率2.1.9MOS晶体管的衬底偏置效应2.1.10CMOS结构2.2CMOS逻辑部件2.2.1CMOS倒相器设计2.2.2CMOS与非门和或非门的结构及其等效倒相器设计方法2.2.3其他CMOS逻辑门2.2.4D触发器2.2.5内部信号的分布式驱动结构2.3MOS集成电路工艺基础2.3.1基本的集成电路加工工艺2.3.2CMOS工艺的主要流程2.3.3Bi-CMOS工艺技术第3章工艺与设计接口3.1工艺对设计的制约与工艺抽象3.1.1工艺对设计的制约3.1.2工艺抽象3.2设计规则3.2.1几何设计规则3.2.2电学设计规则3.2.3设计规则在VLSI设计中的应用第4章晶体管规则阵列设计技术4.1晶体管阵列及其逻辑设计应用4.1.1全NMOS结构ROM4.1.2ROM版图4.2MOS晶体管开关逻辑4.2.1开关逻辑4.2.2棒状图4.3PLA及其拓展结构4.3.1“与非-与非”阵列结构4.3.2“或非-或非”阵列结构4.3.3多级门阵列(MGA)4.4门阵列4.4.1门阵列单元4.4.2整体结构设计准则4.4.3门阵列在VLSI设计中的应用形式4.5晶体管规则阵列设计技术应用第5章单元库设计技术5.1单元库概念5.2标准单元设计技术5.2.1标准单元描述5.2.2标准单元库设计5.2.3输入、输出单元(I/OPAD)5.3积木块设计技术5.4单元库技术的拓展第6章微处理器6.1系统结构概述6.2微处理器单元设计6.2.1控制器单元6.2.2算术逻辑单元(ALU)6.2.3乘法器6.2.4移位器6.2.5寄存器6.2.6堆栈6.3存储器组织6.3.1存储器组织结构6.3.2行译码器结构6.3.3列选择电路结构第7章测试技术和可测试性设计7.1VLSI可测试性的重要性7.2测试基础7.2.1内部节点测试方法的测试思想7.2.2故障模型7.2.3可测试性分析7.2.4测试矢量生成7.3可测试性设计7.3.1分块测试7.3.2可测试性的改善设计7.3.3内建自测试技术7.3.4扫描测试技术第8章模拟单元与变换电路8.1模拟集成电路中的基本元件8.1.1电阻8.1.2电容8.2基本偏置电路8.2.1电流偏置电路8.2.2电压偏置电路8.3放大电路8.3.1单级倒相放大器8.3.2差分放大器8.3.3源极跟随器8.3.4MOS输出放大器8.4运算放大器8.4.1两级CMOS运放8.4.2CMOS共源-共栅(cascode)运放8.4.3带有推挽输出级的运放8.4.4采用衬底晶体管输出级的运放8.5电压比较器8.5.1电压比较器的电压传输特性8.5.2差分电压比较器8.5.3两级电压比较器8.6D/A、A/D变换电路8.6.1D/A变换电路8.6.2A/D变换电路8.
2025/6/24 15:01:24 12.57MB VLSI
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[PHP+MySQL]图书馆管理系统前后台全部代码(附带数据库脚本),可添加、编辑、删除图书和分类,具有两级用户权限
2025/6/17 9:01:57 327KB PHP MySQL 数据库 图书馆
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两级倒立摆仿真模型的GUI控制界面-TheGUIofdoubleinvertedpendulumsimulationsystem.rar  这是我近几天做的一个GUI界面,用于controlthesimulationmodelofthedoubleinvertedpendulumsystem.里面有我的基于GA寻优后的LQR控制的两级倒立摆仿真模型(不包括ga寻优的m文件),以及SimulateGUIhanhan.m和SimulateGUIhanhan.fig文件。
不知道做类似gui的同学们有没这样的问题:就是在gui对应的m文件中(我有guide创建的gui)如果使用sim函数进行模型的仿真,即使你在scope模块中设定将array形式的输出savetoworkspace,或者利用时钟和输出端子,再或者利用toworkspace,输出参数都保存不到工作空间。
为了解决这个问题,我问过math老师,最后采用:toflie的形式将.mat文件保存,然后在程序中download一下就ok了呵呵!  现在我将我近期做的这个小东西拿来给大家分享一下呵呵!    我不怎会传图片就一同放在附件里了呵呵!fig.jpgmdl.jpg
2025/3/26 11:49:25 181KB matlab
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Cadence两级放大电路,包括版图,已通过lvs,drc检查Cadence两级放大电路已经完成版图设计,并且已经通过了LVS(Layoutvs.Schematic)和DRC(DesignRuleCheck)的检查。
在这段话中涉及到的知识点和领域范围是电路设计和集成电路设计工具。
电路设计是指通过选择和配置电子元件,将它们连接在一起以实现特定功能的过程。
而集成电路设计工具是用于设计和验证集成电路的软件工具,其中Cadence是一个常用的集成电路设计工具。
延申科普:集成电路设计是现代电子技术中的重要领域,它涉及到将多个电子元件(如晶体管、电容器、电阻器等)集成到单个芯片上,以实现各种功能。
集成电路设计工具是帮助工程师进行电路设计和验证的软件工具,它们提供了各种功能和模块,包括原理图设计、版图设计、模拟仿真、验证和布局布线等。
Cadence是一个知名的集成电路设计工具供应商,他们提供了一系列的软件工具,包括用于原理图设计的Capture、用于版图设计的Virtuoso、用于模拟仿真的Spectre等。
这些工具能够帮助工程师进行电路设计、验证和优化,提高电路设计的效
2025/3/18 0:23:12 806KB
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单片机,特别是MCS-51系列,是电子工程领域广泛应用的微控制器。
MCS-51单片机的内部资源包括一个8位的CPU,4KB的掩膜ROM程序存储器,128字节的内部RAM数据存储器,2个16位的定时器/计数器,1个全双工异步串行口,5个中断源以及两级中断优先级控制器。
此外,还有时钟电路,这对于单片机的运行至关重要。
MCS-51的外部时钟可以通过XTAL1和XTAL2引脚接入外部振荡信号源。
指令周期是以机器周期为基本单位,机器周期由12个振荡周期组成,等于6个状态周期。
在MCS-51中,RAM有两个可寻址区域,分别是20H-2FH的16个单元和字节地址为8的倍数的特殊功能寄存器(SFR)。
参数传递在子程序中通常通过寄存器或片内RAM进行。
中断程序的返回通常使用RETI指令,而在返回主程序前需要恢复现场。
串行口工作方式1的一帧数据包含10位,波特率的设定公式取决于具体应用。
中断响应时间通常在3-8个周期之间,最短响应时间是在CPU查询中断标志的最后一个机器周期后立即执行LCALL指令,需要3个机器周期。
单片机的时钟产生有两种方式:内部和外部。
51单片机的存储器包括ROM和RAM。
在扩展外部存储器时,P0口作为数据和地址总线的低8位,而P3.3口的第二功能是INT1。
中断矢量地址如外部中断0为0003H,外部中断1为0013H。
MCS-51的I/O端口有三种操作模式:读端口数据,读端口引脚和输出。
地址译码方法包括部分地址译码、全地址译码和线选法。
直接寻址可以访问SFR、内部数据存储器低128字节以及位地址空间。
P0口可以作为真正的双向数据总线口或通用I/O口,但作为后者时是准双向口。
在定时/计数器的工作方式中,只有T0能工作于方式三,用于生成波特率。
串行通信的一帧数据包括起始位、数据位、奇偶校验位和停止位。
波特率表示每秒传输二进制位的数量。
中断响应时间是从PC指针到转向中断服务程序入口地址所需的机器周期数。
定时器T0和T1在工作方式1下为16位计数器,范围0-65535。
MCS-51的堆栈是向上生长的,SP始终指向栈顶。
入栈操作是先SP加1再压入数据,而出栈则先弹出数据再SP减1。
MCS51单片机的内部资源包括并行I/O口、定时器/计数器、串行接口和中断系统。
它有8种寻址方式,包括寄存器、直接、立即、寄存器间接、相对、页面、变址和位寻址。
变址寻址是基于16位的程序计数器PC或数据指针DPTR作为基址寄存器,结合8位的累加器A作为变址寄存器。
MCS-51单片机具有111条指令,按长度分为单字节、双字节和三字节指令,并按执行所需的机器周期数进一步分类。
这些指令构成了MCS-51强大的处理能力,使其能够在各种嵌入式系统中发挥关键作用。
理解和掌握这些知识点对于单片机的学习和期末考试至关重要。
2025/3/16 17:44:05 323KB
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低压小功率逆变电源已经被广泛应用于工业和民用领域。
特别是新能源的开发利用,例如太阳能电池的普遍使用,需要一个逆变系统将太阳能电池输出的直流电压变换为220V、50Hz交流电压,以便于使用。
本文给出了一种用单片机控制的正弦波输出逆变电源的设计,它以12V直流电源作为输入,输出220V、50Hz、0~150W的正弦波交流电,以满足大部分常规小电器的供电需求。
该电源采用推挽升压和全桥逆变两级变换,前后级之间完全隔离。
在控制电路上,前级推挽升压电路采用SG3525芯片控制,采样变压器绕组电压做闭环反馈;逆变部分采用单片机数字化SPWM控制方式,采样直流母线电压做电压前馈控制,同时采样电流做反馈控制;在保护上,具有输入过、欠压保护,输出过载、短路保护,过热保护等多重保护功能电路,增强了该电源的可靠性和安全性。
2025/3/12 8:13:46 380KB 正弦波 逆变电源 单片机
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广工操作系统课设:多道批处理系统两级调度的模拟,用c语言模拟多道批处理系统两级调度的模拟,有完整的代码及报告。
2025/3/10 6:38:40 156KB 操作系统
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两级放大电路的设计两级放大电路的设计模电模电模电
2025/2/22 12:06:39 2.9MB 模电 两级放大电路的设计
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文中介绍了一种基于集成运算放大器实现的宽带高增益放大器,本系统创造性地利用两级宽带运放VCA822压控放大,宽带运算放大器OPA690输出,完成了一个通频带50kHz~40MHz,增益0~68dB可调的宽带高增益放大器。
放大器噪声小,通频带范围宽,最大放大倍数大,后级加入了开关手动切换的自动增益控制电路模块,自制电源降压模块。
系统采用多种方式消除了高增益,高频自激。
放大器输入输出阻抗均为50Ω,方便和前后级电路匹配。
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课程成绩管理数据库设计与实现科技大学交通大学计算机科学与技术1.理解数据库系统的三级模式结构与两级映像机制;
2.体会数据库的数据独立性特征;
3.掌握ER模型的使用;
4.掌握将ER模型转换为关系模型的方法;
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在日常工作中,钉钉打卡成了我生活中不可或缺的一部分。然而,有时候这个看似简单的任务却给我带来了不少烦恼。 每天早晚,我总是得牢记打开钉钉应用,点击"工作台",再找到"考勤打卡"进行签到。有时候因为工作忙碌,会忘记打卡,导致考勤异常,影响当月的工作评价。而且,由于我使用的是苹果手机,有时候系统更新后,钉钉的某些功能会出现异常,使得打卡变得更加麻烦。 另外,我的家人使用的是安卓手机,他们也经常抱怨钉钉打卡的繁琐。尤其是对于那些不太熟悉手机操作的长辈来说,每次打卡都是一次挑战。他们总是担心自己会操作失误,导致打卡失败。 为了解决这些烦恼,我开始思考是否可以通过编写一个全自动化脚本来实现钉钉打卡。经过一段时间的摸索和学习,我终于成功编写出了一个适用于苹果和安卓系统的钉钉打卡脚本。
2024-04-09 15:03 15KB 钉钉 钉钉打卡