/ 4H-SiCMESFET大信号非线性特性分析
4H-SiCMESFET大信号非线性特性分析
4H-SiCMESFET大信号非线性特性分析
采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。
模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。
进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μm增大到1.6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33.55dBm(36.26dBm)减小到18.1dBm(13.4dBm),1dB压缩点从24dBm下降到7.43dBm。
为实际器件的线性化设计提供理论依据。
采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。
模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。
进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μm增大到1.6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33.55dBm(36.26dBm)减小到18.1dBm(13.4dBm),1dB压缩点从24dBm下降到7.43dBm。
为实际器件的线性化设计提供理论依据。
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