/ 一种高电源抑制比无片外电容LDO设计
一种高电源抑制比无片外电容LDO设计
一种高电源抑制比无片外电容LDO设计
设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比（PSR）无片外电容CMOS低压差线性稳压器（LDO）。
基于对全频段电源抑制比的详细分析，提出了一种PSR加强电路模块，使100kHz和1MHz处的PSR分别提高了40dB和30dB；
加入串联RC补偿网络，保证了电路的稳定性；
在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块，降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。
电路采用UMC65nmRFCMOS工艺进行设计和仿真，整个芯片面积为0.028mm2，仿真结果表明，本文设计的LDO的相位裕度为86.8°，在100kHz处，PSR为-84.4dB，输出噪声为8.3nV/[Hz]，在1MHz处，PSRR为-50.6dB，输出噪声为6.9nV[Hz]，适合为噪声敏感的射频电路供电。
本软件ID:14949335
设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比（PSR）无片外电容CMOS低压差线性稳压器（LDO）。
基于对全频段电源抑制比的详细分析，提出了一种PSR加强电路模块，使100kHz和1MHz处的PSR分别提高了40dB和30dB；
加入串联RC补偿网络，保证了电路的稳定性；
在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块，降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。
电路采用UMC65nmRFCMOS工艺进行设计和仿真，整个芯片面积为0.028mm2，仿真结果表明，本文设计的LDO的相位裕度为86.8°，在100kHz处，PSR为-84.4dB，输出噪声为8.3nV/[Hz]，在1MHz处，PSRR为-50.6dB，输出噪声为6.9nV[Hz]，适合为噪声敏感的射频电路供电。
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