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其中，N和S分别为载流子浓度和光子密度，g为对光子密度的增益系数，N是透明载流子密度，τ表示谐振腔中载流子寿命(注入载流子到由于光子的受激辐射复合以及自发发射和非发光复合而消失的平均时间)，τ表示谐振腔中光子寿命(从光子产生到光子丢失为止的平均时间)，Γ是光限制因子(表示在谐振腔内所有光能中有源层内部所包含的比例)，β是自发发射耦合进激射模中的比率即自发辐射因子，J是注入有源层的电流，q是电子电荷，V是有源层体积。
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